GaN HEMT 임베디드 냉각기술 개발

질화갈륨(GaN)은 높은 에너지 밴드갭 특성을 가지며, 최대 동작온도 225℃로 우수한 고온 물성을 갖춰 높은 전류밀도와 항복전압, 출력 전력 특성을 제공하여 고성능 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소재로 널리 사용되고 있다. 하지만 GaN 소자를 적용하더라도 출력 향상에 따라 RF 소자의 온도가 증가하는 것은 불가피하다. 높은 온도는 HEMT 뿐 아니라 전체 시스템에 대한 신뢰성과 성능을 하락시키는 주된 요인으로 작용하므로, 이를 해소할 수 있는 방열 설계에 대해서도 많은 연구가 이루어져 왔다.