GaN HEMT 임베디드 냉각기술 개발

자체 방열 기능을 갖는 고성능 전력증폭기. 질화갈륨(GaN)은 높은 에너지 밴드갭 특성을 가지며, 최대 동작온도 225℃로 우수한 고온 물성을 갖춰 높은 전류밀도와 항복전압, 출력 전력 특성을 제공하여 고성능 HEMT(Hi

군정찰위성 핵심부품 국산화

GaN HPA 소자 및 파형생성·신호처리용 ASIC 개발. 425사업으로 개발 중인 군정찰위성-I은 고해상도 SAR 센서를 탑재한 위성 4기와 EO/IR 센서를 탑재한 위성 1기로 핵·미사일 도발 징후를 탐지하고, 전방위 위협에 대한 감시

ETRI, RFHIC와 LOI 체결

X-Band MFR용 GaN MMIC 전력소자 설계 및 공정기술 개발. 한국전자통신연구원(ETRI)은 22일, 산업통상자원부-국방부의 지원으로 RFHIC와 업무협력협정서(Letter Of Intent)를 체결하고 레이다용 질화갈륨(GaN) 집적회로(M