GaN HEMT 임베디드 냉각기술 개발

자체 방열 기능을 갖는 고성능 전력증폭기. 질화갈륨(GaN)은 높은 에너지 밴드갭 특성을 가지며, 최대 동작온도 225℃로 우수한 고온 물성을 갖춰 높은 전류밀도와 항복전압, 출력 전력 특성을 제공하여 고성능 HEMT(Hi

RFHIC GaN-on-Diamond

CVD 다이아몬드를 적용한 GaN HEMT 기술. 질화갈륨(GaN)은 실리콘(Si)에 비해 3배 이상(3.4eV) 높은 에너지 밴드갭 특성을 가지며, 700℃의 고온에서도 안정적인 특성을 갖고 있어 고전압 고출력 전력반도체로 적합

GaN HEMT 공정기술 개발

S-Band 150W급 GaN HEMT와 0.4um GaN Fab 구축. 국방과학연구소(ADD, 소장 박종승)는 질화갈륨(GaN) 전력증폭소자(HEMT) 양산 공정 기술을 국내 기술력으로 확보하는데 성공했다. GaN HEMT는 높은 효율로 고출력을 가능