질화갈륨(GaN)은 실리콘(Si)에 비해 3배 이상(3.4eV) 높은 에너지 밴드갭 특성을 가지며, 700℃의 고온에서도 안정적인 특성을 갖고 있어 고전압 고출력 전력반도체로 적합하다. 또한, 갈륨비소(GaAs) 대비 8배 이상 높은 전력밀도 특성과 30% 이상 우수한 효율 특성으로 모듈 크기를 50% 이상 작게 만들어 경량화할 수 있다는 이점을 갖는다.
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질화갈륨(GaN)은 실리콘(Si)에 비해 3배 이상(3.4eV) 높은 에너지 밴드갭 특성을 가지며, 700℃의 고온에서도 안정적인 특성을 갖고 있어 고전압 고출력 전력반도체로 적합하다. 또한, 갈륨비소(GaAs) 대비 8배 이상 높은 전력밀도 특성과 30% 이상 우수한 효율 특성으로 모듈 크기를 50% 이상 작게 만들어 경량화할 수 있다는 이점을 갖는다.
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