쉘든의 밀리터리
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RFHIC GaN-on-Diamond
CVD 다이아몬드를 적용한 GaN HEMT 기술. 질화갈륨(GaN)은 실리콘(Si)에 비해 3배 이상(3.4eV) 높은 에너지 밴드갭 특성을 가지며, 700℃의 고온에서도 안정적인 특성을 갖고 있어 고전압 고출력 전력반도체로 적합
2021.08.09·조회 2.6K
2021.08.09·전자/통신·멤버십·조회 2.6K
국방소식
ETRI, RFHIC와 LOI 체결
X-Band MFR용 GaN MMIC 전력소자 설계 및 공정기술 개발. 한국전자통신연구원(ETRI)은 22일, 산업통상자원부-국방부의 지원으로 RFHIC와 업무협력협정서(Letter Of Intent)를 체결하고 레이다용 질화갈륨(GaN) 집적회로(M
2021.07.23·조회 2.5K
2021.07.23·국방소식·조회 2.5K
