ETRI, RFHIC와 LOI 체결

X-Band MFR용 GaN MMIC 전력소자 설계 및 공정기술 개발. 한국전자통신연구원(ETRI)은 22일, 산업통상자원부-국방부의 지원으로 RFHIC와 업무협력협정서(Letter Of Intent)를 체결하고 레이다용 질화갈륨(GaN) 집적회로(M

GaN HEMT 공정기술 개발

S-Band 150W급 GaN HEMT와 0.4um GaN Fab 구축. 국방과학연구소(ADD, 소장 박종승)는 질화갈륨(GaN) 전력증폭소자(HEMT) 양산 공정 기술을 국내 기술력으로 확보하는데 성공했다. GaN HEMT는 높은 효율로 고출력을 가능